Транзисторы

2Т957А
Транзисторы 2Т957А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.

BUV48A полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического сигнала.

BUX48A полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического сигнала.

Корпус TO-220-3, Входное напряжение, min 3.45 В, Входное напряжение, max 40 В, Выходное напряжение, min 1.2 В, Выходное напряжение, max 37 В, Внешняя регулировка выходного напряжения ADJ, Максималь

Транзисторы 1Т806А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательныею,предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.

Транзистор предназначен для усиления электрического сигнала.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.

"Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. 

Транзистор 2Т506А для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.

Транзисторы 2Т602Б кремниевые планарные структуры n-p-n.
Предназначены для генерирования и усиления сигналов.

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.

Транзистор биполярный 2Т921А, предназначен для усиления, преобразования и генерирования электрических колебаний. Биполярные транзисторы используются в основном в аналоговой технике.