Транзисторы

2Т957А
Транзисторы 2Т957А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.

BUV48A полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического сигнала.

BUX48A полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического сигнала.

Корпус TO-220-3, Входное напряжение, min 3.45 В, Входное напряжение, max 40 В, Выходное напряжение, min 1.2 В, Выходное напряжение, max 37 В, Внешняя регулировка выходного напряжения ADJ, Максималь

Транзистор предназначен для усиления электрического сигнала.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.

"Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.

Транзистор 2Т506А для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.

Транзисторы 2Т602Б кремниевые планарные структуры n-p-n.
Предназначены для генерирования и усиления сигналов.

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.

Транзистор биполярный 2Т921А, предназначен для усиления, преобразования и генерирования электрических колебаний. Биполярные транзисторы используются в основном в аналоговой технике.