Транзисторы 2Т602Б кремниевые планарные структуры n-p-n.
Предназначены для генерирования и усиления сигналов.
Транзисторы 2Т602А, 2Т602Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов не более 5 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-9.
Технические условия: И93.365.000 ТУ.
| Номенклатурная группа | транзистор |
| Артикул | 023400 |
| Базовая единица | шт |
| Модель | 2Т602Б |
2Т957А
Транзисторы 2Т957А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
BUV48A полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического сигнала.
BUX48A полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического сигнала.
Корпус TO-220-3, Входное напряжение, min 3.45 В, Входное напряжение, max 40 В, Выходное напряжение, min 1.2 В, Выходное напряжение, max 37 В, Внешняя регулировка выходного напряжения ADJ, Максималь
Транзисторы 1Т806А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательныею,предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
